Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Internet - zewnętrzny dysk twardy ludzkości
15 lipca 2011, 21:01Opublikowane w magazynie Science badania sugerują, że internet zmienił sposób, w jaki zapamiętujemy informacje. Przestajemy pamiętać konkretne szczegóły, zapamiętujemy za to witryny, gdzie możemy te szczegóły znaleźć
Windows zdominuje Eee
14 marca 2008, 12:50Linux ciągle nie jest w stanie wyjść z zajętej przez siebie rynkowej niszy i stać się systemem masowym. W ciągu ostatnich kilkunastu miesięcy byliśmy świadkami powstania kilku interesujących inicjatyw, które dawały nadzieję, że opensource'owy system operacyjny trafi do przeciętnego domu.
Kwantowe splątanie pomiędzy bilionem atomów a pojedynczym fotonem
7 marca 2017, 06:27Słynny paradoks Einsteina-Podolskiego-Rosena powraca po ponad 80 latach w nowej odsłonie. Naukowcy z Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego wytworzyli wielowymiarowy stan splątany pomiędzy zbiorem atomów a pojedynczą cząstką światła – fotonem. Co więcej, wytworzone w laboratorium splątanie udało się przechować przez rekordowy czas kilku mikrosekund. Wyniki badań opublikowano w prestiżowym czasopiśmie fizycznym Optica.
Premiera Windows 7
22 października 2009, 11:27Dzisiaj, 22 października, będzie miała miejsce oficjalna premiera systemu Windows 7. Na rynek trafi OS, który ma szansę zastąpić leciwego Windows XP i poprawić wizerunek Microsoftu, który mocno ucierpiał po debiucie Windows Visty.
Samsung prezentuje superszybkie układy pamięci
28 czerwca 2006, 09:26Samsung Electronics poinformował o zbudowaniu 2-gigabitowej kości flash OneNAND w technologii 60 nanometrów. Koncern twierdzi, że jest to najbardziej wydajny układ tego typu.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
AMD i Nvidia powołane na świadków
3 grudnia 2006, 14:54Amerykański Departament Sprawiedliwości (DoJ) wezwał przedstawicieli AMD i Nvidii przed sąd. Będą oni świadkami w toczącym się śledztwie dotyczącym możliwych naruszeń prawa antymonopolowego na rynku kart i procesorów graficznych.
Superszybkie DRAM-y Elpidy
5 października 2007, 11:40Elpida i Rambus ogłosiły powstanie najbardziej wydajnych układów pamięci DRAM na świecie. Kości XDR pracują z częstotliwością 4,8 gigaherca i zapewniają transfer danych rzędu 9,6 gigabita na sekundę.
4 gigabity w jednej kości
29 stycznia 2009, 13:50Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.
